单片机直接驱动MOS管？这些风险你要了解

老板没虾:
mos管驱动平均电流是可以忽略不计，但是瞬间电流并不小

【回复】是正解，功率越大越是如此
【回复】瞬间电流是不是给寄生电容充电的电流？
风神瞳雷神瞳:
既如此，再在单片机与mos管间来个三极管

【回复】回复 @李皆宁 :就变成IGBT[doge]
我和我的妹妹雯雯:
一个脚不够用可以多几个并连起来增大电流。

敖奇川:
也可以加光耦隔离，同时也增加了驱动能力

【回复】回复 @叫我熊哥就好 :加光耦是为了防止三极管击穿的带走mcu
【回复】回复 @terry7655 :不一样，那是强弱电隔离
【回复】回复 @敖奇川 : 高电压，高电流隔离是没错。大部分我们也就驱动一个继电器或者阀，风扇，加热片。其实mos栅极一般串个电阻还能减少EMI，关于栅极驱动器TI有专门的芯片，你可以去看看那个技术资料，非常详细实用。其实做这些还不仅仅只是功能问题，还要考虑安规里面的单一故障。
DW_PiGgY:
这个延时怎么算有懂的兄弟教教我吗？

【回复】寄生电容充电放电时间咯
花前月下牵牵手:
5v驱动如此大负载的mos管内阻还是比较大的。一般是12v。

叫我熊哥就好:
一般占比足够用了，大量工程经验告诉你，实际工程还有必要控制这个边沿，边沿太陡共模干扰会很严重，大概率过不了RE

【回复】想陡不容易，想缓简单。
【回复】回复 @Kyriosliz : 是的，所以很多高速信号是差分低压的，而且阻抗要匹配
【回复】照你这么说电路里边比这个陡的多的跳变电压多的去了
胡搞火腿BG2JYM:
我觉得那个mos更像运放 栅极是反向输入端 漏极是输出端 这个'运放'和电容Crss形成了一个积分器 所以边沿会变差 而且输出的边沿实际还挺好

软硬件兼吃的余工:
如果我做来玩的，我就不加驱动三极管。

【回复】驱动电流不够的话mos会热，